| 型号： | PDTD123ET,215 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| PDTD123ET,215 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 2.2k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 50mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | 568-6440-1 |